类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：0.44Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　功率耗散（Pd）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220FP

RFP7N10LE MOSFET采用了先进的沟槽结构设计，提供了较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其100V的漏源电压额定值使其适用于多种中高压电源应用，如电源适配器、电池充电器和电机驱动器。此外，该器件具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V~4V，使其适用于多种驱动电路，包括基于微控制器的系统。RFP7N10LE的封装形式为TO-220FP，具备良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。该封装也有助于提高器件的耐久性和长期可靠性。
　　在短路和过载情况下，RFP7N10LE具有一定的抗冲击能力，但由于其没有内置保护电路，因此在关键应用中建议配合外部保护电路使用，以提高整体系统的稳定性。

RFP7N10LE广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中，例如：DC-DC降压/升压转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动控制电路、LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）中的负载开关、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率开关控制。
　　由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能，RFP7N10LE特别适合用于需要中等功率开关能力的设计。例如，在电动车控制器、智能家电、UPS不间断电源系统以及工业电源模块中都能看到其身影。
　　此外，该MOSFET也常用于电源管理IC（PMIC）外围电路中，作为主开关或辅助开关使用，实现对负载的精确控制和高效能转换。

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　　 "IRFZ44N",
　　 "FDPF7N10",
　　 "STP7NK10Z",
　　 "2SK3564"
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