RFP75N03 时间：2025/8/24 11:16:30 阅读：4

RFP75N03 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电源系统设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB、D2PAK（TO-263）

特性

RFP75N03 的主要特性包括极低的导通电阻，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力可达75A，适合用于大功率负载的控制。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。RFP75N03 采用先进的平面技术制造，确保了器件的高可靠性和耐用性。该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其封装形式（如TO-220AB和D2PAK）便于散热，适合用于高功率密度的设计。
　　RFP75N03 还具备较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行。栅极驱动电压范围宽广（通常为4.5V至20V），可与多种控制器和驱动器兼容，提高了设计的灵活性。这些特性使得RFP75N03成为高性能电源系统和工业控制应用中的理想选择。

应用

RFP75N03 适用于多种电源管理和功率控制应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统和电源适配器。它也常用于服务器、通信设备、工业自动化系统以及消费类电子产品中的高效率电源模块设计。由于其高电流能力和低导通电阻，RFP75N03 特别适合用于需要高功率输出和高效率的场合。