RFP60N10 时间：2025/8/24 21:19:53 阅读：3

RFP60N10 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高电流和高功率应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值28mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

RFP60N10 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。在10V栅极驱动电压下，RDS(on) 最大仅为28毫欧，这对于需要高效率的应用（如DC-DC转换器和电源管理系统）非常重要。
　　该器件采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适合在高电流条件下运行。同时，其高达100V的漏极-源极耐压能力使其适用于多种中高压功率转换应用。
　　此外，RFP60N10 具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高系统效率。该器件还具有较高的热稳定性，适合在高温环境下运行。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的10V和12V驱动电路，便于集成到各种功率控制电路中。同时，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲条件下的可靠性。

应用

RFP60N10 主要应用于需要高效功率控制的场合，例如：电源管理单元、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化控制系统。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET非常适合用于大功率开关电源和高效率的电源转换器。此外，其出色的热性能和抗雪崩能力也使其适用于需要稳定性和可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电动车控制系统。
　　在电机控制应用中，RFP60N10 可用于H桥驱动器和PWM控制电路，实现高效的电机调速和方向控制。它还可用于高功率LED照明系统中的恒流驱动电路。