时间：2025/12/29 14:28:50
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RFD15P05SM9A是一款P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由STMicroelectronics（意法半导体）制造。该器件设计用于高效率、低电压应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理单元。由于其高集成度和优化的导通电阻特性，RFD15P05SM9A在便携式设备和嵌入式系统中得到了广泛应用。
类型：P沟道
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：-5.8V
导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：-4.5V至0V
封装类型：PowerFLAT 5x6 mm
工作温度范围：-55°C至150°C
RFD15P05SM9A具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的P沟道设计使其在低电压开关应用中表现出色，尤其是在需要反向极性保护或高侧开关的电路中。
其PowerFLAT封装提供了优良的热性能和空间效率，非常适合空间受限的设计。此外，该MOSFET具有高电流容量和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持可靠运行。
该器件还具备快速开关能力，减少了开关损耗，并支持高频操作，从而提高了系统效率。其栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的控制电路中灵活使用。
此外，RFD15P05SM9A通过了AEC-Q101认证，适用于汽车电子应用，确保其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
RFD15P05SM9A常用于电源管理系统、负载开关、同步整流器、DC-DC转换器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及车载电子系统等应用领域。
RFD15P05SMA；Si2840ADT；FDMS86180；STM32P05SM9A
