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RFP5P15 发布时间 时间:2025/8/24 14:25:22 查看 阅读:11

RFP5P15是一款由Renesas Electronics制造的射频功率晶体管(RF Power Transistor),主要用于高频功率放大器应用。该器件基于硅双极型晶体管(Si BJT)技术设计,适用于工业、科学和医疗(ISM)频段以及广播通信系统中的功率放大电路。RFP5P15以其高输出功率、良好的线性度和热稳定性而著称,适合用于50MHz至500MHz频段的各类射频设备。

参数

类型:硅NPN双极型晶体管(Si NPN BJT)
  最大输出功率:15W(典型值)
  频率范围:50MHz - 500MHz
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极电流(Ic):1.5A
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220AB
  增益(Gp):约13dB @ 175MHz
  效率(Efficiency):约60% @ 175MHz

特性

RFP5P15是一款专为高频功率放大应用而优化的射频晶体管。其NPN结构提供了良好的增益和线性性能,适用于需要高保真度信号放大的通信系统。该器件在50MHz至500MHz频段内具有稳定的输出功率表现,典型输出功率可达15W,并具备较高的功率增益,适合用于多级放大器的末级或中间级放大。
  此外,RFP5P15采用TO-220AB封装,具备良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能维持稳定的电气性能。其热稳定性和过热保护特性使得该器件在长时间运行中具有较高的可靠性,适用于工业级应用环境。
  在电气特性方面,RFP5P15的集电极-发射极击穿电压为30V,最大集电极电流为1.5A,工作温度范围广泛(-65°C至+150°C),使其在各种环境条件下均能稳定运行。该晶体管在175MHz频率下的典型增益为13dB,效率约为60%,具备良好的能效比。

应用

RFP5P15广泛应用于各类射频功率放大器设计中,包括无线通信设备、广播发射机、工业加热设备、医疗射频仪器以及测试测量设备等。该器件特别适用于ISM频段的无线发射系统、VHF/UHF通信设备以及模拟和数字广播发射机的中功率放大级。此外,RFP5P15也常用于教学实验、射频模块开发和业余无线电设备中。

替代型号

MRF150, BLF177, RD16HHF1

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