时间：2025/5/22 0:44:57
阅读：8
RFP50N06LE是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由Infineon Technologies制造。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用场合。
该MOSFET的主要特点是其低的导通电阻和较高的雪崩能量能力，这使得它在需要高效能和高可靠性的电路中表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：34nC
总耗散功率：175W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
RFP50N06LE具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备的要求。
5. 提供了卓越的热性能，能够承受高功耗条件下的工作。
RFP50N06LE广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类电机驱动应用，例如步进电机和直流无刷电机控制。
3. 负载切换和保护电路中的电子开关。
4. 工业自动化和控制系统的功率管理部分。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
IRF540N
STP55NF06L
FDP50N06L
