CGH60060D 时间：2025/12/28 16:22:53 阅读：13

CGH60060D 是一款由 Cree（科锐）公司生产的碳化硅（SiC）功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于高功率密度、高效率和高频应用。该器件基于宽禁带半导体技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）以及快速的开关性能，适用于如电动汽车（EV）、充电桩、工业电源和可再生能源系统等应用场景。

参数

类型：碳化硅MOSFET
　　额定漏源电压(Vds)：650V
　　额定漏极电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：60mΩ
　　栅极电荷(Qg)：160nC
　　反向恢复电荷(Qrr)：0nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247

特性

CGH60060D MOSFET 的核心优势在于其碳化硅材料带来的卓越性能表现。宽禁带半导体技术显著降低了导通和开关损耗，使器件能够在更高频率下运行，从而缩小磁性元件的尺寸并提升系统效率。此外，该MOSFET具备极低的导通电阻（60mΩ），有效减少功率损耗，提高整体系统能效。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为160nC，支持快速开关操作，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源应用。同时，由于其碳化硅材料的特性，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定运行，具有更高的热稳定性和可靠性。
　　值得一提的是，CGH60060D 拥有零反向恢复电荷（Qrr），这意味着在同步整流等应用中可以显著降低反向恢复损耗，减少电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。这种特性尤其适合用于高效电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机驱动系统。

应用

CGH60060D 被广泛应用于高功率和高效率的电力电子系统中，如电动汽车车载充电器（OBC）、充电桩、工业电源、太阳能逆变器以及储能系统。在电动汽车领域，该MOSFET可用于高压DC-DC转换器和主驱逆变器，以提高能效和功率密度。在可再生能源系统中，该器件的高频特性可支持更小的磁性元件和滤波器，从而缩小系统尺寸并提高整体效率。
　　此外，该MOSFET也适用于服务器电源、电信电源和数据中心UPS系统，满足高效率、高功率密度和高可靠性的需求。由于其卓越的热管理能力，该器件在高负载和高温环境下仍能保持稳定运行，是工业自动化和电机驱动应用的理想选择。

替代型号

SiC MOSFET 市面上可替代 CGH60060D 的型号包括 ROHM（罗姆）的 SCT3080KL、ON Semiconductor（安森美）的 NTHL060N65SC1 和 Infineon（英飞凌）的 IMZA65R060M1H。这些器件在性能参数、封装形式和应用场景方面与 CGH60060D 具有较高兼容性，可根据具体设计需求进行选择。