您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RFP40N10LE

RFP40N10LE 发布时间 时间:2025/12/29 13:37:58 查看 阅读:23

RFP40N10LE 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关和电源管理应用。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻特性,广泛用于 DC-DC 转换器、电源供应器、电机控制和电池管理系统等场景。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):100 V
  栅源电压(VGS):±20 V
  连续漏极电流(ID):40 A(在 Tc=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):160 A
  导通电阻(RDS(on)):典型值 35 mΩ(在 VGS = 10 V)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220、D2PAK、TO-262 等
  功率耗散(PD):150 W(在 Tc=25°C)

特性

RFP40N10LE 的核心优势在于其低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,使其在功率转换应用中具有出色的效率和热性能。该 MOSFET 使用先进的沟槽栅极技术,提高了开关速度并减少了开关损耗,适用于高频操作环境。此外,其具备较高的雪崩能量承受能力,增强了在恶劣工作条件下的可靠性。该器件还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,减少了对散热器尺寸的要求,有助于系统设计的小型化和轻量化。
  在封装方面,RFP40N10LE 提供了多种选项,包括 TO-220、D2PAK 和 TO-262,便于在不同电路板布局中灵活使用。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(如 10V 驱动电压),简化了与控制器 IC 的接口设计。同时,该器件的高抗静电能力和过温保护性能,也提升了其在工业和汽车电子中的适用性。

应用

RFP40N10LE 广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于:DC-DC 升压/降压转换器、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、太阳能逆变器、车载充电器以及工业自动化控制系统。其高性能和高可靠性也使其成为电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)相关电源管理系统的理想选择。在这些应用中,RFP40N10LE 能够显著提高系统效率,降低功率损耗,并确保长时间运行的稳定性。

替代型号

IRF40N10、FDP40N10、STP40NF10、SiHF40N10

RFP40N10LE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RFP40N10LE资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载