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RFP30P06 发布时间 时间:2025/6/3 16:32:17 查看 阅读:11

RFP30P06是一种N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件适用于开关电源、直流电机驱动、逆变器以及负载切换等应用场合。它具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  该型号的额定电压为60V,额定电流为30A,广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):8mΩ
  栅极电荷:14nC
  开关时间(典型值):开通延迟时间57ns,关断下降时间28ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

RFP30P06具备较低的导通电阻,可减少导通损耗,并且其快速的开关性能有助于提升整体效率。此外,器件具有较高的雪崩能量承受能力,增强了在异常条件下的可靠性。
  由于采用了先进的制造工艺,该MOSFET能够在高频条件下保持高效运行,同时支持表面贴装与通孔安装两种方式,便于不同设计需求的应用场景。
  RFP30P06还具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持稳定的电气性能,这使得它特别适合于需要高可靠性的工业和汽车应用中。

应用

该器件通常被用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流电机控制
  3. 电池保护电路
  4. 负载开关
  5. 汽车电子中的继电器替代
  6. 各类功率转换电路
  凭借其出色的电气特性和可靠性,RFP30P06成为许多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP30N06L

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RFP30P06参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流30 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.065 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 下降时间18 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散135 W
  • 上升时间23 ns
  • 典型关闭延迟时间28 ns