时间：2025/5/30 14:16:30
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RFP30P05是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用TO-264封装形式。该器件适用于高电压、高电流的应用场合，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升系统效率并减少能量损耗。
其典型应用包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等领域。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：29nC
总电容：185pF
开关时间：开通延迟时间：75ns，上升时间：30ns，关断延迟时间：35ns，下降时间：20ns
功耗：30W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
RFP30P05具有以下特点：
1. 高击穿电压能力，使其能够在高达100V的环境中稳定运行。
2. 极低的导通电阻（0.05Ω），从而降低了导通状态下的功率损耗。
3. 快速的开关速度，有助于提高工作效率并减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然保持性能。
5. 适合表面贴装技术（SMT）工艺，简化了生产流程并提高了可靠性。
RFP30P05广泛应用于多种电力电子领域：
1. 开关电源设计中作为主开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 各种类型的电机驱动电路。
4. 电池保护及负载切换电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
STP30NF06
AO3400
