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RFP30P05 发布时间 时间:2025/5/30 14:16:30 查看 阅读:9

RFP30P05是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用TO-264封装形式。该器件适用于高电压、高电流的应用场合,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升系统效率并减少能量损耗。
  其典型应用包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等领域。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:30A
  导通电阻:0.05Ω
  栅极电荷:29nC
  总电容:185pF
  开关时间:开通延迟时间:75ns,上升时间:30ns,关断延迟时间:35ns,下降时间:20ns
  功耗:30W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

RFP30P05具有以下特点:
  1. 高击穿电压能力,使其能够在高达100V的环境中稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(0.05Ω),从而降低了导通状态下的功率损耗。
  3. 快速的开关速度,有助于提高工作效率并减少开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然保持性能。
  5. 适合表面贴装技术(SMT)工艺,简化了生产流程并提高了可靠性。

应用

RFP30P05广泛应用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源设计中作为主开关元件。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 各种类型的电机驱动电路。
  4. 电池保护及负载切换电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06
  AO3400

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RFP30P05参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 50 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流30 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.065 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 下降时间18 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散120 W
  • 上升时间23 ns
  • 典型关闭延迟时间28 ns