时间：2025/8/24 19:25:58
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RFP30N06LE（也称为P30N06LE）是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流、低电压开关应用，具有较低的导通电阻和较高的效率。RFP30N06LE采用先进的沟槽技术，使其在高负载条件下依然保持优异的热性能和电气性能。这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、马达控制、电池供电设备以及各种功率开关电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
漏极电流（ID）：30A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：42mΩ @ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）
功率耗散（PD）：125W
漏源击穿电压（BVDSS）：60V
RFP30N06LE是一款采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得器件在工作时的功率损耗更低，从而提高了整体效率。其42mΩ的RDS(on)值在VGS = 10V时实现，确保了在高电流应用中的稳定性。
该器件支持高达30A的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。同时，其最大漏源电压为60V，适用于多种中低电压功率转换应用。
RFP30N06LE的封装形式包括TO-220和D2PAK，后者适合表面贴装工艺，便于在PCB上安装和散热管理。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了其在高压瞬态条件下的可靠性。此外，其快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
由于其高耐压、低导通损耗和优异的热性能，RFP30N06LE在电机控制、电池管理系统、电源适配器及负载开关中表现出色。
RFP30N06LE广泛应用于各种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电与管理系统、马达驱动器、负载开关、电源适配器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率开关控制。此外，它也适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和电动工具控制器。
IRF30N06D、STP30NF06、FDP30N06、SiHF30N06E
