制造商：SK Hynix
　　存储容量：256K x 16位
　　存储类型：DRAM
　　数据速率：55ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　组织结构：256K地址 x 16位数据宽度
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸
　　

HM514265CTT7 是一款高性能的DRAM芯片，采用先进的CMOS技术，具有良好的低功耗特性。其256K x 16位的数据结构使其适用于需要大容量内存的系统。该芯片支持标准的DRAM控制信号，如行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE），便于与主控器进行接口。
　　该型号的存取时间低至5.4ns，访问速度较快，适用于需要较高数据吞吐量的应用场景。其55ns的数据速率和64ms的刷新周期确保了稳定的数据存储与读写性能。TSOP封装设计使得芯片在PCB布局中占用空间小，适用于高密度内存模块的制造。
　　此外，HM514265CTT7 具有宽广的电源电压容限，工作电压为3.3V，能够在多种电源环境下稳定运行。其工作温度范围为0°C至70°C，适用于工业级和商业级设备。由于其标准化的接口和封装形式，该芯片易于集成到现有系统中，并具备良好的兼容性和可替换性。

HM514265CTT7 主要用于早期的计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备和网络设备中作为主存储器使用。由于其高容量和低功耗特性，该芯片也适用于便携式电子设备、通信模块和消费类电子产品。在一些需要高稳定性和可靠性的工业控制系统中，该型号也常被用于缓存和临时数据存储任务。此外，该芯片可作为内存扩展模块应用于老式服务器和工作站中，以提升系统运行效率。

HM514265CTT-5、HM514265CTT8、MT48LC16M2A2B4-5A、TC51V265DJP-66