类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：30A（在25°C）
　　最大功率耗散(Pd)：62W
　　导通电阻(Rds(on)：典型值为40mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220
　　技术：沟槽式MOSFET

RFP30N06E具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用沟槽式结构设计，使电流分布更加均匀，降低了导通电阻并提高了热稳定性。
　　其次，RFP30N06E具有高电流承载能力，能够在较高温度下稳定工作，适合高功率密度设计。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），支持与多种驱动器兼容，适用于逻辑电平驱动电路。
　　该器件还具备良好的热性能，其封装设计（TO-220）能够有效散热，防止因高温导致的性能下降或损坏。RFP30N06E的高可靠性使其在汽车电子、工业电源和消费类电子产品中广泛应用。
　　此外，RFP30N06E具有较高的抗雪崩击穿能力，增强了器件在高能量开关应用中的稳定性。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。

RFP30N06E广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、负载开关、功率放大器以及工业自动化设备等。此外，该器件也常用于电动车、电动工具、充电器和UPS不间断电源等高功率应用领域。
　　在汽车电子方面，RFP30N06E适用于车载充电器、车身控制模块和电机驱动系统。其高可靠性和优异的热管理性能使其在严苛的环境条件下依然保持稳定工作状态。

IRF30N06D, FDP30N06E, STP30N06E, IPD30N06E