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RFP25N05 发布时间 时间:2025/6/6 10:31:20 查看 阅读:4

RFP25N05是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度,适合在中等功率应用中使用。
  RFP25N05的耐压能力为50V,能够处理高达25A的连续漏极电流,并且具备较低的栅极电荷,这有助于减少开关损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:50V
  最大漏极电流:25A
  导通电阻:80mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:17nC
  输入电容:960pF
  总开关时间:38ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

RFP25N05具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压(50V),确保在各种复杂电路环境中的稳定性。
  2. 极低的导通电阻(80mΩ),可有效降低传导损耗。
  3. 快速开关性能,使其适用于高频开关应用。
  4. 小巧的TO-220封装设计,方便安装且散热性能优越。
  5. 良好的热稳定性,能够在高温环境下持续运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

RFP25N05适用于多种电子设备及领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 各类电机驱动电路中的功率控制元件。
  5. 汽车电子系统的负载切换。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。

替代型号

IRF540N
  STP25NF06L
  BUZ11

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