RFP25N05是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度,适合在中等功率应用中使用。
RFP25N05的耐压能力为50V,能够处理高达25A的连续漏极电流,并且具备较低的栅极电荷,这有助于减少开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:50V
最大漏极电流:25A
导通电阻:80mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:17nC
输入电容:960pF
总开关时间:38ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
RFP25N05具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(50V),确保在各种复杂电路环境中的稳定性。
2. 极低的导通电阻(80mΩ),可有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能,使其适用于高频开关应用。
4. 小巧的TO-220封装设计,方便安装且散热性能优越。
5. 良好的热稳定性,能够在高温环境下持续运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
RFP25N05适用于多种电子设备及领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路中的功率控制元件。
5. 汽车电子系统的负载切换。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
IRF540N
STP25NF06L
BUZ11