时间：2025/7/30 17:58:47
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RFP15N05是一款由Renesas（瑞萨）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器和各种开关电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：15A
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为35mΩ
功率耗散：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
RFP15N05具有低导通电阻特性，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压特性使其能够在较高的电压下稳定工作，适用于多种电源管理应用。此外，该MOSFET采用了先进的硅技术，具备优异的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该器件还具备良好的栅极控制特性，能够在较宽的栅极电压范围内保持稳定的导通状态。其封装设计优化了散热性能，提高了器件在高功率应用中的可靠性。RFP15N05的快速开关特性使其适用于高频开关电路，有助于减小外围元件的尺寸并提高整体系统的响应速度。
RFP15N05常用于各类电源系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器和电池管理系统。它也适用于工业自动化设备、汽车电子系统、UPS不间断电源以及消费类电子产品中的高效能电源模块。由于其高可靠性和良好的热性能，该MOSFET也适合在高温和高负载环境下运行。
IRFZ44N, FDP15N05, AON6260
