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RFP12P10 发布时间 时间:2025/7/4 5:27:10 查看 阅读:18

RFP12P10是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于开关和功率放大等应用。它具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度,广泛用于电源管理、电机驱动和其他需要高效能电子切换的场景。
  该器件采用TO-252封装形式,这种小型化设计使得其在紧凑型电路中表现优异。同时,由于其出色的电气性能,RFP12P10在各种工业和消费类电子产品中都具有很高的适用性。

参数

最大漏极电流:12A
  最大漏源电压:100V
  导通电阻:80mΩ
  栅极电荷:39nC
  总功耗:2.6W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

RFP12P10具备以下主要特性:
  1. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  2. 极低的导通电阻,减少传导损耗,提高效率。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗。
  4. 紧凑型TO-252封装,节省印刷电路板空间。
  5. 广泛的工作温度范围,确保在恶劣环境下可靠运行。
  6. 栅极驱动要求低,简化驱动电路设计。

应用

RFP12P10被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  3. 各种类型的电机驱动,包括步进电机和直流无刷电机。
  4. 电池保护和负载开关应用。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 消费类电子产品的电源管理和充电电路。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, BUK7Y1R2-100E

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RFP12P10参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.3 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 下降时间94 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散75 W
  • 上升时间90 ns
  • 典型关闭延迟时间144 ns