时间：2025/12/29 14:20:36
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RFP12P08是一款由Renesas Electronics制造的N沟道功率MOSFET，设计用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制等场景。RFP12P08采用紧凑的表面贴装封装，有助于节省电路板空间并提高系统集成度。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：80V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：8mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：表面贴装（例如：TO-252或类似）
RFP12P08的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高效率。该器件支持高连续漏极电流，适合高功率应用。其栅极驱动电压范围宽，允许与多种驱动电路兼容。RFP12P08的封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。此外，该器件具有良好的热稳定性和短路保护能力，适用于要求严苛的工业和汽车应用。
RFP12P08广泛应用于各种高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电源管理系统、电动工具、电机驱动器以及汽车电子系统。由于其高电流能力和低导通电阻，它也非常适合用于高效率的电源转换模块，例如在服务器电源供应器和工业自动化设备中。
SiHF12N80C、FDPF12N80、IXFH120N80Q
