型号：LM111F
　　封装类型：TO-99
　　引脚数：8
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电源电压范围：±5V 至 ±15V（双电源），10V 至 30V（单电源）
　　输入偏置电流：典型值 200nA
　　输入失调电压：最大 7.5mV（全温范围内）
　　响应时间（传播延迟）：典型值 200ns
　　输出形式：开集电极
　　输出电流能力：灌电流高达40mA
　　功耗：典型值 65mW
　　增益带宽积：约 0.7MHz
　　共模抑制比（CMRR）：典型值 80dB
　　电源抑制比（PSRR）：典型值 80dB

LM111F电压比较器具备卓越的环境适应能力和电气性能稳定性，能够在极端温度条件下持续可靠运行，这使其成为军事和航空航天应用中的首选器件之一。该芯片采用高性能双极性工艺制造，内部电路结构经过优化，确保在宽电源电压范围内仍能维持一致的比较精度和响应速度。其输入级由差分对管构成，提供良好的共模噪声抑制能力，共模输入电压范围可接近电源轨，在单电源应用中尤其有利。输入失调电压较低且随温度变化小，保证了长期工作的测量准确性。芯片的开集电极输出设计是一个关键优势，它允许输出端与不同电压等级的逻辑系统对接，例如连接到5V TTL或3.3V CMOS逻辑，只需外部配置合适的上拉电阻即可完成电平转换。这种灵活性大大增强了其在混合信号系统中的适用性。此外，LM111F具备较强的输出驱动能力，能够直接驱动继电器、LED或逻辑门电路，减少外围元件数量，简化系统设计。
　　另一个显著特性是其抗干扰能力强，得益于较高的电源抑制比（PSRR）和共模抑制比（CMRR），即使在电源波动或存在强电磁干扰的工业环境中也能保持稳定工作。该器件的响应时间约为200纳秒，虽然不及现代高速比较器，但在大多数中速检测和控制场景中已足够使用。LM111F还支持锁存操作，可通过外接正反馈网络实现迟滞功能，防止在输入信号临界点附近发生输出振荡，提高系统鲁棒性。其金属封装不仅提供了优异的热传导性能，还能有效屏蔽外部电磁干扰，进一步提升可靠性。尽管静态功耗相对较高，不适合电池供电设备，但对于固定电源供电的高可靠性系统而言，这一缺点可以接受。总体而言，LM111F以其坚固的设计、稳定的性能和广泛的适用性，成为经典模拟比较器的代表之一。

LM111F广泛应用于对环境适应性和可靠性要求极高的领域，尤其是在军事装备、航空航天电子系统和工业自动化控制系统中发挥着重要作用。在雷达信号处理系统中，LM111F可用于将接收到的模拟回波信号与参考阈值进行比较，生成触发脉冲用于目标检测和距离判别。在导弹制导系统中，该芯片被用于姿态传感器信号的阈值判断，实现飞行姿态的实时监控与校正。在航空电子设备中，LM111F常用于电源电压监测电路，当主电源电压跌落至预设阈值以下时，迅速发出告警信号或启动备用电源切换机制，保障关键系统的持续运行。此外，在高精度测试与测量仪器中，如示波器和逻辑分析仪中，LM111F用于构建窗口比较器或过零检测电路，辅助信号特征提取和时间基准生成。
　　在工业控制领域，LM111F被用于温度、压力、液位等传感器信号的调理与报警电路设计。例如，在高温炉温控系统中，传感器输出经放大后送入LM111F，一旦温度超过安全限值，立即触发声光报警或切断加热电源。在电力系统保护装置中，该芯片可用于过压/欠压检测模块，及时响应电网异常状态并执行断路器动作。由于其宽温特性和抗干扰能力，LM111F也常见于石油钻探、矿山机械等恶劣工况下的电子控制系统中。此外，在老旧设备维护和备件替换场景中，LM111F因其长期供货记录和成熟应用方案，仍是许多工程师的首选替代器件。尽管新型低功耗比较器不断涌现，但在强调长期稳定性与极端环境耐受性的应用中，LM111F依然不可替代。

LM111J/883B
　　LM111H
　　LM111W
　　ELM111F