类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：100A
　　最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大功耗：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　频率范围：最高可达175MHz
　　增益：典型值为14dB
　　输出功率：在2m频段下可达100W

RFP100-6 具有以下显著特性：
　　1. **高功率处理能力**：RFP100-6 可以承受高达100A的漏极电流，并在高电压条件下工作，适合需要高功率放大的应用。其最大功耗为300W，确保在高负载下仍能稳定运行。
　　2. **高频率性能**：该器件支持高达175MHz的工作频率，非常适合用于HF（高频）和VHF（甚高频）通信系统中的射频功率放大器设计。
　　3. **优异的热稳定性**：采用TO-247封装，提供了良好的散热性能，使得该MOSFET能够在高温环境下稳定工作，同时提高了器件的长期可靠性。
　　4. **高增益特性**：在典型工作条件下，RFP100-6 的增益可达14dB，使得在射频放大电路中能够实现较高的信号放大倍数，减少了对外部放大器的需求。
　　5. **低导通电阻**：RFP100-6 的导通电阻较低，减少了功率损耗，提高了整体系统的效率。
　　6. **广泛的工作温度范围**：其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业和户外环境。

RFP100-6 主要应用于以下领域：
　　1. **射频功率放大器**：该器件广泛用于HF/VHF频段的射频功率放大器中，特别是在业余无线电、商业通信和广播系统中。
　　2. **工业和医疗设备**：在需要高功率射频信号的工业加热设备、等离子体发生器以及医疗高频治疗设备中，RFP100-6 能够提供稳定的功率输出。
　　3. **电源转换器**：由于其高效率和低导通电阻特性，该MOSFET也可用于高频DC-DC转换器和电源管理系统中。
　　4. **测试与测量设备**：RFP100-6 可用于高频信号发生器和测试仪器，提供高功率输出以满足测试需求。
　　5. **军事与航空航天**：凭借其高可靠性和宽工作温度范围，RFP100-6 也可用于军事通信设备和航空航天领域的射频系统中。

RD100HHF1, RD100HHF1-B, RD100HHF1-C