时间：2025/8/5 14:09:04
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IXZ316N60是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能功率管理的应用场景。该MOSFET采用TO-247封装形式，具备低导通电阻和出色的热性能，适用于开关电源、电机控制、逆变器和其他高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：31A
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：5V
最大功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXZ316N60 MOSFET具有多项显著特性，包括低导通电阻（Rds(on)），可减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其高击穿电压（600V）和额定电流（31A）使其适合在高功率应用中使用。
此外，该器件采用了先进的平面技术，提供了出色的稳定性和耐用性，能够承受较高的工作温度。TO-247封装设计有助于提高散热性能，从而延长器件的使用寿命。
这款MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频操作，减少了开关损耗，进一步提升了整体系统性能。同时，其栅极驱动电压为标准5V，方便与常用的逻辑电路或驱动IC配合使用。
IXZ316N60 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化设备。在太阳能逆变器中，它用于高效的能量转换；在电机控制应用中，它可以实现精确的速度调节和高效的功率管理。
此外，该器件也适用于家用电器、电动汽车充电系统和电焊设备等高功率电子产品。由于其高可靠性和耐用性，IXZ316N60在工业级应用中尤其受到青睐。
IRFZ44N, IXTP32N60B, FDPF32N60
