时间：2025/9/7 17:02:09
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MBN325C20是一种功率晶体管模块，广泛用于高功率应用场合，如电源、逆变器和电机控制电路。该模块通常基于MOSFET或IGBT技术，具备高耐压和大电流承载能力。MBN325C20以其高效率和稳定性著称，在工业控制、电力电子变换器等应用中被广泛采用。
类型：MOSFET/IGBT模块
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：典型值约0.2Ω
封装形式：TO-247或等效模块封装
工作温度范围：-55°C至+150°C
热阻(Rth)：根据散热条件不同而变化
MBN325C20具有优异的热性能和稳定的电气特性，适用于高功率密度设计。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的短路耐受能力和过载保护性能，适合在严苛环境下使用。该模块还采用了先进的封装技术，以确保良好的散热性能和长期可靠性。
该器件主要应用于电源转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、焊接设备和工业自动化控制系统。此外，它还常用于太阳能逆变器、电动车充电设备等高功率应用场合。
MBN325C20的替代型号包括MBN325C25、MBN325C30、IRFP460A、IXFH50N20P等。
