型号：RFN5BM6STL
　　类型：SiC肖特基二极管
　　封装/外壳：DPAK-2L
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　最大直流阻断电压（VR）：650V
　　平均整流电流（IF(AV)）：5A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大正向压降（VF）：1.7V @ 5A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：250μA @ 650V, 25°C
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻抗（RθJC）：3.0°C/W

RFN5BM6STL所采用的碳化硅（SiC）材料赋予了其卓越的电气和热性能表现，使其在现代高效能电源系统中成为理想的整流元件选择。首先，该器件具备极低的正向导通压降（VF），在额定电流5A条件下仅为1.7V，相较于传统硅基PIN二极管可显著降低导通损耗，提升系统能效。更重要的是，作为肖特基势垒结构，它不存在少数载流子存储效应，因此完全没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复电流（Irr ≈ 0），这一特性极大地减少了高频开关过程中的能量损耗，避免了因反向恢复引起的电磁干扰（EMI）问题，并允许使用更高频率的开关拓扑结构，从而缩小磁性元件和滤波器的体积，提高功率密度。
　　其次，RFN5BM6STL拥有高达175°C的最高结温能力，表明其可在极端高温环境下稳定运行，适用于靠近发热源安装的应用场合，如车载OBC或电机控制器内部。良好的热稳定性也意味着系统可以在更宽的温度范围内保持性能一致性。此外，其较低的热阻抗（RθJC = 3.0°C/W）确保热量能够高效地从PN结传导至PCB或散热片，进一步增强长期工作的可靠性和寿命。该器件还具备优异的抗浪涌能力，支持高达50A的峰值非重复浪涌电流，能够在瞬态过载或启动冲击下保持安全运行，提升了系统的鲁棒性。由于其符合AEC-Q101标准，RFN5BM6STL特别适用于汽车电子领域，包括电动汽车主驱逆变器辅助电源、DC-DC转换器及车载充电机等对可靠性要求极高的应用场景。综合来看，这款SiC二极管不仅提升了效率和功率密度，还增强了系统在恶劣工况下的适应能力。

RFN5BM6STL广泛用于各类高效率开关电源系统，尤其适用于需要高频操作和高温稳定性的场合。典型应用包括：服务器和数据中心的高效AC-DC电源模块；光伏（太阳能）逆变器中的直流链路整流与防逆流保护；电动汽车（EV）车载充电机（OBC）和高压DC-DC转换器；工业电机驱动中的续流与箝位电路；以及不间断电源（UPS）和储能系统中的功率因数校正（PFC）级整流。其无反向恢复特性使其非常适合连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）PFC电路，在减少开关损耗的同时改善整体系统效率。此外，由于其具备良好的热管理能力，也常被用于紧凑型高功率密度电源设计中，例如通信电源、LED驱动电源及高端消费类适配器。在汽车电子领域，该器件可用于48V轻混系统中的能量回收与电压转换环节，发挥其耐高温、高可靠的优势。

RFN6TH6S,MUR560G,DSSK560PA}