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NUD3160LT1G 发布时间 时间:2023/4/12 11:35:28 查看 阅读:841

NUD3160LT1G技术参数

目录

概述

漏源电压VBR MAX(V):70

漏电流IC(mA):-

功耗EZ(mj):200

封装/温度(℃):Sot-23/-40~125

描述:工业感性负载驱动器

资料

厂商
ON Semiconductor

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NUD3160LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列MicroIntegration™
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻2.4 欧姆
  • 电流 - 输出 / 通道200mA
  • 电流 - 峰值输出-
  • 电源电压-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NUD3160LT1GOSNUD3160LT1GOS-NDNUD3160LT1GOSTR