型号：RFN20NS6S
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：650V
　　连续漏极电流(ID)：20A @ 100°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：80A
　　导通电阻(RDS(on))：0.22Ω @ VGS=10V, ID=10A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：3V ~ 4.5V
　　总栅极电荷(Qg)：120nC @ VDS=480V, ID=20A
　　输入电容(Ciss)：4000pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　最大工作结温(Tj)：150°C
　　封装形式：TO-247AC

RFN20NS6S采用ST先进的MDmesh? V系列超级结技术，这种技术通过在硅片中精确构建交替的P型和N型柱状区域，极大提升了器件的击穿电压与导通性能之间的平衡。相比传统的平面或沟槽型MOSFET，超级结结构显著降低了单位面积的导通电阻，同时维持了高耐压能力，使得RFN20NS6S在650V等级器件中实现了非常低的RDS(on)，仅为0.22Ω，在同类产品中处于领先水平。这不仅减少了导通损耗，还允许在相同功率等级下使用更小的散热器或实现更高的功率密度。
　　该器件的开关特性同样出色，其总栅极电荷（Qg）仅为120nC，这意味着驱动电路所需的驱动功率较低，有助于简化栅极驱动设计并降低控制芯片的负担。同时，较低的输出电容（Coss = 190pF）和反馈电容（Crss）有效减少了开关过程中的能量损耗，特别是在高频工作条件下，能够显著提升电源系统的整体转换效率。此外，RFN20NS6S具备快速的反向恢复时间（trr = 35ns），当与体二极管参与换流时（如在硬开关拓扑中），可减少反向恢复电流尖峰，抑制电磁干扰（EMI），并降低对其他元件的压力。
　　在可靠性方面，RFN20NS6S经过严格的设计验证，具备优异的雪崩 ruggedness 能力，能够在突发过压或负载突变的情况下承受一定的能量冲击而不损坏。这一特性对于工业级应用尤为重要，例如在电机驱动或UPS系统中可能出现的感性负载切断现象。此外，TO-247AC封装提供了较大的焊接触点面积和良好的热阻特性（典型Rth(j-c)约为0.5°C/W），确保热量能够高效传递至散热器，避免局部过热导致的性能下降或失效。综合来看，RFN20NS6S是一款兼顾高性能、高可靠性和高集成度的理想选择，广泛应用于现代高效率电源系统中。

RFN20NS6S因其高电压、大电流和高效开关特性，被广泛应用于多种中高功率电力电子设备中。首先，在开关模式电源（SMPS）领域，尤其是服务器电源、通信电源和工业电源模块中，它常用于有源钳位正激、LLC谐振变换器以及双有源桥（DAB）拓扑结构中作为主开关器件，以实现高效率和小型化设计。其次，在功率因数校正（PFC）电路中，特别是连续导通模式（CCM）升压PFC，RFN20NS6S凭借其低RDS(on)和快速开关能力，可有效降低导通与开关损耗，满足能源之星等能效标准要求。
　　在可再生能源系统中，该器件也发挥着重要作用。例如，在光伏（PV）逆变器中，RFN20NS6S可用于DC-DC升压级或辅助电源部分，帮助将太阳能板输出的低压直流电高效地提升至适合逆变的电压水平。此外，在不间断电源（UPS）系统中，无论是在线式还是后备式架构，它都可用作DC-AC逆变级或电池充放电控制开关，提供稳定可靠的能量转换路径。
　　工业自动化设备中的电机驱动器、焊接电源、感应加热装置等也需要高效且耐用的功率开关元件，RFN20NS6S在此类应用中表现出良好的鲁棒性和温度稳定性。同时，由于其具备较强的抗雪崩能力，即使在存在感性负载突然断开或电网波动的恶劣工况下也能保持安全运行。此外，电动汽车充电基础设施中的车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源模块也开始采用此类高性能MOSFET，以提高充电效率并延长设备寿命。综上所述，RFN20NS6S适用于所有需要高效率、高可靠性和紧凑设计的650V级别功率转换场合。

STW20NK60Z
　　IPW60R190CFD
　　FQA20N60ET