类型：LDMOS射频功率晶体管
　　频率范围：DC至6GHz
　　最大漏极电压（Vds）：65V
　　最大漏极电流（Id）：1.8A
　　输出功率（典型值）：250W CW @ 2.7GHz
　　增益（典型值）：22dB @ 2.7GHz
　　效率（典型值）：65% @ 2.7GHz
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　热阻（Rth）：0.35°C/W（结到壳）

RFHA1006SR采用先进的LDMOS技术，具备宽频率覆盖能力（DC至6GHz），适合多频段和宽带应用。其高输出功率（250W连续波功率）和高增益（22dB）使其在射频放大器设计中具有出色的性能表现。该器件具有较高的效率（65%），有助于降低功耗和减少散热需求，提高系统整体能效。
　　此外，RFHA1006SR具有优异的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下运行。其低热阻（0.35°C/W）确保了良好的散热性能，延长了器件寿命并提高了系统的稳定性。该晶体管的气密封陶瓷封装设计提供了良好的机械强度和环境适应性，适用于严苛的工业和通信环境。
　　该器件还具备良好的线性度，适合用于需要高保真信号放大的应用，如基站功率放大器和射频测试设备。其宽频率响应和高增益特性使得设计者可以灵活地应用于多种射频系统中。

RFHA1006SR广泛应用于无线通信基础设施，如4G/5G基站、广播发射机、射频加热设备、医疗成像系统和射频测试仪器等。其高功率和宽频带特性使其成为多频段通信系统和宽带放大器的理想选择。此外，该器件也可用于工业自动化设备、雷达系统和航空航天电子设备中的射频功率放大环节。

NXP MRF1K50、Cree CGH40025、STMicroelectronics STD12NM47N2AG-1