时间：2025/12/29 14:33:14
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RFG50N05是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：50V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.018Ω（典型值为0.015Ω）
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
RFG50N05具备低导通电阻特性，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高电流承载能力确保在大负载条件下依然保持稳定运行。其优异的热管理性能允许在高温环境下工作，同时保持良好的可靠性。RFG50N05的栅极电荷低，有助于提高开关速度并降低开关损耗。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高压瞬态条件下的稳定性。
RFG50N05的封装设计支持高效的散热，有助于将热量快速传导至散热片或PCB，确保长期运行的可靠性。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
RFG50N05广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关和电源管理模块。此外，它也适用于工业自动化设备、电动工具、不间断电源（UPS）和汽车电子系统等高要求的应用场景。
IRF540N、RFD3N50VN5、FDP50N50、SiR556ADK、IPD50N05S4-03
