TCR2EF30 是一款基于硅技术的功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点,能够显著提高效率并降低功耗。
TCR2EF30 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,便于散热设计和电路板布局优化。其主要应用领域包括工业自动化设备、通信电源以及消费类电子产品的电源管理模块。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:15A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):4.5mΩ
总功耗:180W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
栅极电荷:45nC
反向恢复时间:12ns
TCR2EF30 提供了出色的性能表现,特别是在低导通电阻方面表现优异,这使其在高效率功率转换应用中非常受欢迎。此外,该器件还具备以下特点:
1. 高电流能力,能够支持高达 15A 的连续漏极电流。
2. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
3. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
4. 内置雪崩能量保护功能,提高了器件的鲁棒性。
5. 封装形式多样化,便于根据具体应用场景选择合适的封装类型。
TCR2EF30 常用于需要高效功率转换的场合,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动应用中的逆变器或斩波器组件。
3. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
4. 各种负载切换电路,如服务器、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理系统。
5. 工业控制设备中的功率级驱动元件。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP16N06L