TCR2EF30 时间：2025/5/8 14:42:22 阅读：27

TCR2EF30 是一款基于硅技术的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点，能够显著提高效率并降低功耗。
　　TCR2EF30 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于散热设计和电路板布局优化。其主要应用领域包括工业自动化设备、通信电源以及消费类电子产品的电源管理模块。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏极电流：15A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　总功耗：180W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　栅极电荷：45nC
　　反向恢复时间：12ns

特性

TCR2EF30 提供了出色的性能表现，特别是在低导通电阻方面表现优异，这使其在高效率功率转换应用中非常受欢迎。此外，该器件还具备以下特点：
　　1. 高电流能力，能够支持高达 15A 的连续漏极电流。
　　2. 快速开关特性，有助于减少开关损耗。
　　3. 较宽的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
　　4. 内置雪崩能量保护功能，提高了器件的鲁棒性。
　　5. 封装形式多样化，便于根据具体应用场景选择合适的封装类型。

应用

TCR2EF30 常用于需要高效功率转换的场合，例如：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 电机驱动应用中的逆变器或斩波器组件。
　　3. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
　　4. 各种负载切换电路，如服务器、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理系统。
　　5. 工业控制设备中的功率级驱动元件。