时间：2025/8/24 10:13:37
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RFG30N60B3D 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，专为高功率开关应用设计。该器件具备高性能的导通电阻、快速的开关速度和高可靠性，适用于各种功率转换和电源管理电路。RFG30N60B3D采用先进的平面技术制造，具有优良的热稳定性和过载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：30A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.23Ω（典型值为0.19Ω）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
RFG30N60B3D具有低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面工艺，确保了在高温和高负载条件下的稳定运行。
其快速开关特性可显著减少开关损耗，从而提高整体系统性能。此外，该MOSFET具有高dv/dt能力，有助于在高频应用中保持稳定运行。
RFG30N60B3D还具备良好的热性能，能够有效散热，从而延长器件的使用寿命。该器件设计有内部反向并联二极管，可用于处理电感负载中的反向电流。
它的封装采用标准TO-220AB封装，便于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电源应用。
RFG30N60B3D广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及各种功率控制电路。
在电源管理系统中，它可用于高效能转换和调节，提高整体系统效率。
在工业控制设备中，该MOSFET可用于高频开关操作，减少能量损耗并提升系统响应速度。
此外，RFG30N60B3D还可用于LED照明驱动器、电池充电器以及不间断电源（UPS）系统等应用。
由于其出色的热性能和高可靠性，该器件在恶劣工作环境中仍能保持稳定运行。
FQA30N60C, IRF30N60C, FGP30N60B3D, FQA30N60F
