CJAB55P03 时间：2025/8/16 22:37:15 阅读：5

CJAB55P03 是一款由国产厂商设计的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率功率转换和电源管理领域。该器件采用了先进的沟槽型技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统（BMS）以及负载开关等应用。该MOSFET为P沟道类型，适合用于低压侧或高边开关应用，具备良好的热稳定性和抗过载能力。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：7.2mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

CJAB55P03 MOSFET采用先进的沟槽式功率MOS技术，具备极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其P沟道结构使其在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路，简化了设计并降低了成本。该器件的栅极驱动电压兼容性强，支持常见的10V和4.5V驱动电压，适用于多种控制IC的直接驱动。
　　此外，CJAB55P03具有良好的热稳定性，其TO-263封装提供了优异的散热性能，确保在高负载条件下也能保持稳定工作。该MOSFET内置体二极管，具备一定的反向电压保护能力，适用于电机驱动、负载切换和整流应用。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在瞬态条件下保持可靠性。其高耐压特性（VDS=30V）和大电流承载能力（ID=50A）使其广泛适用于高功率密度电源系统，如服务器电源、通信电源、工业控制电源和电动车电控系统等。

应用

CJAB55P03 主要应用于需要高效功率控制的场合，包括但不限于：同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块、工业自动化控制系统以及高功率LED驱动电路。在服务器电源和电信设备中，该MOSFET常用于高边开关和电源分配系统，以实现高效能和低功耗运行。