IRFS841 时间：2025/8/24 20:55:45 阅读：6

IRFS841 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于电源转换、电机控制和功率管理等场景。IRFS841 采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力，适合在中高功率环境下使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：3.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.75Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IRFS841 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其最大漏源电压达到 500V，使其适用于高压开关应用，例如开关电源（SMPS）、逆变器和电机驱动系统。其次，其导通电阻 Rds(on) 在 Vgs=10V 时仅为 1.75Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　此外，该器件的漏极电流额定值为 3.8A，适用于中等功率的负载控制。TO-220 封装不仅提供良好的散热性能，还能与标准散热片兼容，便于系统散热设计。IRFS841 的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，支持常见的 5V 和 10V 驱动电压，兼容多种控制电路。
　　在可靠性方面，IRFS841 设计有高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压和过电流冲击，从而提高系统的稳定性。该器件还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，降低开关损耗并提高系统效率。

应用

IRFS841 被广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器和电机控制模块。由于其高耐压和良好的导通特性，该 MOSFET 适用于工业自动化设备、电源管理系统、照明控制系统以及消费类电子产品的功率控制电路。
　　在电源设计中，IRFS841 可作为主开关器件，用于 Boost 或 Flyback 转换拓扑中。在电机控制应用中，它可用于 H 桥结构中的高边或低边开关，实现电机的正反转和调速。此外，该器件也适用于充电器、适配器和 UPS（不间断电源）系统中的功率开关任务。