制造商：Qorvo (原 RFMD)
　　产品类型：射频功率晶体管
　　技术：GaN on SiC
　　频率范围：20MHz ~ 1GHz
　　输出功率（Pout）：100W（CW）
　　增益：约 18dB（典型值）
　　漏极电压（Vd）：28V 或 32V
　　漏极电流（Id）：4.5A（静态）
　　效率：≥65%（典型）
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.5:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：螺钉固定陶瓷封装（DIP-7 或类似）
　　阻抗匹配：内部输入匹配，50Ω 系统兼容
　　RoHS 状态：符合 RoHS 指令要求

RFDIP2520100G18Q1C 采用了先进的 GaN on SiC 半导体工艺，具备高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，能够在高频、高电压和高温环境下稳定运行。GaN 材料本身具有宽禁带特性，使得器件能够承受更高的电场强度，从而实现更高的击穿电压和功率密度。相比传统的 LDMOS 器件，GaN 技术显著提升了功率附加效率（PAE），减少了能量损耗和散热需求，特别适合对能效敏感的应用场景。该器件在 20MHz 至 1GHz 的宽频带内保持一致的增益和输出特性，无需频繁调整匹配网络即可适应不同频率操作，极大增强了系统的灵活性。
　　其内置输入匹配网络不仅降低了外部元件数量，还提高了生产一致性与可靠性，减少了因手工调谐带来的误差。输出端则需外部匹配至 50Ω 系统，以便与天线或后续级联组件良好连接。该晶体管具备良好的抗负载失配能力，在 VSWR 高达 2.5:1 的条件下仍可安全运行，避免因反射功率过高导致器件损坏。此外，SiC 衬底具有优异的热导率，有助于快速将结区热量传导至外壳，配合适当的散热器使用，可确保器件在长时间满负荷工作下的热稳定性。
　　RFDIP2520100G18Q1C 还集成了多重保护机制，包括过温预警设计和稳定的栅极偏置结构，防止意外反向电压或静电放电造成损伤。其螺钉固定的陶瓷封装提供了机械坚固性和良好的射频接地性能，适用于高振动或严苛工业环境。所有金属化引脚均采用可焊接设计，便于自动化装配和返修。该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高压寿命试验（HTOL）、温度循环和功率老化测试，确保在关键任务系统中的长期耐用性。

RFDIP2520100G18Q1C 广泛应用于需要高功率射频能量输出的领域。在工业加热与等离子体生成系统中，它被用作驱动源，用于半导体制造、材料表面处理、废气净化和等离子点火装置。在医疗设备方面，该器件可用于磁共振成像（MRI）系统的射频激励模块，提供精确可控的射频脉冲以激发人体组织中的氢原子核。此外，在广播发射机中，特别是 FM 和 VHF 数字电视发射台，该晶体管可用作末级功率放大器，支持高保真音频与视频信号传输。
　　在国防与航空航天领域，RFDIP2520100G18Q1C 可用于雷达发射模块、电子战系统和战术通信设备，其宽带特性支持多频段跳频通信与信号干扰功能。科研机构也常将其用于粒子加速器、核聚变实验装置中的射频加热系统（如 ICRH）。同时，该器件适用于全固态射频电源设计，替代传统真空管方案，提升系统效率、缩小体积并延长维护周期。在无线通信基础设施中，尽管主要集中在 sub-1GHz 范围，但仍可用于特定定制化基站放大器或应急通信系统。由于其高可靠性和宽温工作能力，也可部署于户外恶劣环境下的远程监控与数据链路系统。

RF3927
　　RFDU2520100G18L1C
　　RFDU2520100G18Q1C