时间：2025/8/15 13:48:37
阅读：9
RFDA0035TR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高性能射频功率放大器（PA）芯片，专为蜂窝通信系统设计。该器件主要针对 3G 和 4G LTE 应用，适用于基站和无线基础设施设备。RFDA0035TR13 采用先进的 GaN（氮化镓）技术，提供高效率、高线性度和高输出功率，适合在高频段工作的无线通信系统。
工作频率范围：2690 MHz - 2790 MHz
输出功率：35 dBm（典型值）
增益：28 dB（典型值）
电源电压：28 V
电流消耗：300 mA（典型值）
封装类型：16引脚表面贴装封装（SMD）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
RFDA0035TR13 具有出色的线性度和效率，使其成为现代蜂窝通信系统中理想的选择。该芯片内置输入和输出匹配网络，简化了外部电路设计。其高集成度减少了外部元件的数量，降低了设计复杂性并节省了电路板空间。
该器件采用了 GaN 技术，提供更高的功率密度和更高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。此外，RFDA0035TR13 还具备良好的抗失真能力，有助于提高通信系统的信号质量和数据传输速率。
为了增强系统的稳定性和可靠性，该芯片还支持宽温度范围操作，并具有良好的抗静电能力。其封装设计支持高效的散热管理，确保在高功率运行时仍能保持稳定的性能。
RFDA0035TR13 主要用于 4G LTE 基站、微波通信设备、无线接入点（WAP）以及其他高性能射频通信基础设施。此外，它也可用于工业和军事通信系统，提供高可靠性和稳定的射频放大性能。
RFDA0035TR13 可以被 RFDA0040TR13 或 RFDA0030TR13 替代，具体取决于设计需求中的输出功率和频率范围要求。其他替代选项包括 Cree 的 CGH40010F 或 NXP 的 AFT0P0603N1R3。
