时间：2025/4/29 9:31:39
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L2SA1037AKQLT1G 是一款由罗姆（ROHM）生产的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET。该产品属于 Semiconductor 分立半导体系列，采用 LFPAK8 封装形式，适用于需要高效功率转换和低导通电阻的应用场景。此器件在高频开关和低功耗设计中表现优异。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻：0.65mΩ
栅极电荷：14nC
输入电容：1550pF
典型阈值电压：1.2V
工作结温范围：-55℃ to 175℃
L2SA1037AKQLT1G 具有超低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷较低，有助于提高开关效率并减少开关损耗。
该器件采用了 LFPAK8 封装，具有良好的散热性能和紧凑的设计，非常适合用于空间受限的场合。此外，它支持宽泛的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下保持稳定运行。
L2SA1037AKQLT1G 的快速开关特性和低寄生电感使其成为 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用的理想选择。
这款 MOSFET 常见于消费电子、通信设备和工业自动化领域中的多种应用，包括但不限于：
- 同步整流
- 多相 buck 转换器
- 便携式设备中的负载开关
- 电动工具中的电机驱动
- 电池管理系统中的保护电路
L2SA1036AKQDTR, L2SA1038AKQDT1G
