制造商：Renesas
　　类型：射频功率放大器（RF Power Amplifier）
　　工艺技术：LDMOS
　　工作频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值26 dBm（在2.5 GHz）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：40%（典型值）
　　电源电压：+28V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　输入/输出阻抗：50Ω

RFDA0026SB 具备多项先进的技术特性，确保其在复杂射频环境中表现出色。首先，其宽频带设计（2.3 GHz 至 2.7 GHz）使其适用于多种无线通信标准，包括4G LTE、WiMAX和5G前向部署。该器件的高功率增益（20 dB）和良好的线性度有助于减少外部放大需求，提高系统集成度。此外，LDMOS工艺提供了出色的热稳定性和高击穿电压容忍度，使芯片在高功率条件下仍能保持稳定运行。
　　该芯片的电源电压为+28V，支持高效能的射频输出，并在高负载下保持低功耗特性（典型效率40%）。其表面贴装封装形式（SMT）便于PCB布局和自动化装配，适用于大规模生产。RFDA0026SB 还具备良好的阻抗匹配能力（输入/输出为50Ω），简化了射频前端的设计流程。
　　为了增强系统的可靠性，RFDA0026SB 集成了过热保护和过载保护机制，确保在异常工作条件下仍能保持器件的完整性。这使其成为基站、工业射频加热系统、无线测试设备等对稳定性要求较高的应用的理想选择。

RFDA0026SB 主要用于需要高功率、高效率和高稳定性的射频系统中。其典型应用包括蜂窝通信基站（如4G LTE和5G NR）、WiMAX基站、工业射频加热与等离子体发生系统、无线测试与测量设备、军用通信设备以及广播和无线基础设施。由于其宽频带特性和出色的线性度，该器件也广泛应用于需要多频段操作的现代通信系统中，为设计人员提供了灵活的选择和高性能的保障。
　　在5G部署初期，RFDA0026SB 被广泛用于Sub-6GHz频段的射频前端模块中，为毫米波前的中高频段通信提供支持。此外，在工业和测试设备中，该芯片可用于构建高精度的信号发生器和功率放大模块，满足高精度测试和测量需求。

RFDA0025SB, RFDA0030SB, AFT05280