类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8双散热片封装

RFD3055LESM9AS2568 MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。
　　该器件采用PowerPAK SO-8封装，提供了优异的热性能和空间效率，适合高密度电路设计。
　　其高栅极电压耐受性（最大20V）确保了在不同驱动条件下的稳定性和可靠性。
　　由于其快速开关特性，该MOSFET适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　该器件还具备高电流承受能力，在短时过载情况下仍能保持稳定工作。
　　此外，RFD3055LESM9AS2568具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下运行而不会显著降低性能。

该MOSFET广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，它被用作主开关或同步整流器以提高转换效率。
　　在电机控制和驱动电路中，RFD3055LESM9AS2568可用于实现高速开关控制，提升系统响应速度和能效。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统。
　　工业自动化设备和嵌入式系统中，该MOSFET可作为高效能功率开关，支持复杂的控制逻辑和高负载驱动。

Si4410BDY-E3-GEVB, FDS6680, IRF7413, AO4406A