时间：2025/6/20 12:19:43
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GCQ1555C1HR75DB01D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制程工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低系统功耗并提升效率。
该器件内部集成了保护功能，如过流保护和热关断保护，以确保在异常工作条件下的可靠性。其封装形式为贴片式，适合自动化生产和高密度电路设计。
型号：GCQ1555C1HR75DB01D
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：75V
连续漏极电流(Id)：48A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.2V~4.0V
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot)：290W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263-3
GCQ1555C1HR75DB01D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 内置过流保护和热关断功能，增强系统的可靠性和安全性。
4. 高击穿电压（75V），能够在较高电压环境下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种恶劣环境。
6. 小型化的贴片式封装设计，简化了PCB布局和生产流程。
7. 符合RoHS标准，环保无铅材料使用。
GCQ1555C1HR75DB01D 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器中的高频开关元件。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的大电流负载控制。
7. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品中的功率转换部分。
IRFZ44N, FDP5570, AON7711
