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RFD3055LE 发布时间 时间:2025/7/4 5:25:59 查看 阅读:3

RFD3055LE 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的制造工艺和封装技术。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域,能够提供低导通电阻和快速开关性能。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有较高的电流处理能力和良好的散热性能,适合高效率、紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值):2.8mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

RFD3055LE 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中减少功耗和热量产生。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于现代高效电源转换器。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 良好的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使 RFD3055LE 成为许多高性能应用的理想选择,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。

应用

RFD3055LE 广泛用于以下应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. 电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)控制器。
  3. 负载切换和保护电路,如服务器、通信设备中的电源管理。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 工业自动化和消费类电子产品的各种功率控制场景。
  RFD3055LE 的高电流承载能力和低导通损耗使其成为上述应用中的关键组件。

替代型号

RFP30N06LE, IRFZ44N, FDP5500

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RFD3055LE参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C107 毫欧 @ 8A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大38W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件