RFD3055LE 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的制造工艺和封装技术。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域,能够提供低导通电阻和快速开关性能。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有较高的电流处理能力和良好的散热性能,适合高效率、紧凑型设计。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:38A
导通电阻(典型值):2.8mΩ
栅极电荷:10nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
RFD3055LE 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中减少功耗和热量产生。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于现代高效电源转换器。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 良好的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这些特性使 RFD3055LE 成为许多高性能应用的理想选择,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。
RFD3055LE 广泛用于以下应用领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. 电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. 负载切换和保护电路,如服务器、通信设备中的电源管理。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化和消费类电子产品的各种功率控制场景。
RFD3055LE 的高电流承载能力和低导通损耗使其成为上述应用中的关键组件。
RFP30N06LE, IRFZ44N, FDP5500