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RFD3055 发布时间 时间:2025/6/4 11:23:06 查看 阅读:5

RFD3055是一种N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。其采用TO-220封装形式,适合于高电流和高电压应用环境。
  RFD3055通过优化的芯片设计实现了出色的热性能和电气性能,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理任务。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻:1.7mΩ
  总栅极电荷:49nC
  输入电容:2020pF
  功耗:175W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

RFD3055具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少传导损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达58A的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,有助于提高转换效率并降低电磁干扰。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 具备优异的雪崩能力和鲁棒性,增强了器件在异常条件下的保护性能。
  6. TO-220封装形式便于安装和散热设计。
  RFD3055凭借这些特性成为高效率功率转换应用的理想选择。

应用

RFD3055适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机控制和驱动电路中的电子开关。
  3. 汽车电子设备中的负载切换。
  4. 工业自动化系统中的功率管理模块。
  5. 各种需要高电流、低损耗开关操作的应用场景。
  由于其高性能表现,RFD3055被广泛用于对效率和可靠性要求较高的场合。

替代型号

IRF3205
  FDP178N6S
  STP55NF06L

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  • RFD3055
  • 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-...
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  • 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-...
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RFD3055参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 25V
  • 功率 - 最大53W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件