时间：2025/9/1 17:46:36
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HY5DU281622ET-5DR是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类型，广泛应用于需要高速数据访问的电子设备中，如计算机、工业控制设备和嵌入式系统。其主要功能是作为临时存储介质，用于存储运行中的程序和数据。
容量：16MB
组织结构：1M x16
电压：3.3V
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
接口类型：SDRAM接口
访问时间：5.4ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
最大工作频率：166MHz
数据宽度：16位
HY5DU281622ET-5DR是一款高性能的SDRAM芯片，具有较快的数据访问速度和稳定的性能表现。其同步设计使得数据传输与系统时钟保持同步，从而提高了系统的整体效率。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的集成度，适用于各种对性能和功耗都有较高要求的应用场景。
该芯片的16MB容量和16位数据宽度使其能够满足中等规模数据存储和高速访问的需求。5.4ns的访问时间和166MHz的工作频率使其在数据传输方面表现出色，适合用于需要快速响应的系统中。此外，该芯片的TSOP封装设计不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适用于紧凑型设备的设计。
HY5DU281622ET-5DR的工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），能够在较为恶劣的环境中稳定工作，因此非常适合工业控制、通信设备等应用场景。
HY5DU281622ET-5DR广泛应用于需要高速数据存储和访问的设备中，如个人电脑、服务器、工业控制系统、通信设备、嵌入式系统以及各种需要高性能存储解决方案的电子产品。由于其稳定性和高性能，该芯片也常用于工业自动化设备和高端消费电子产品中。
IS42S16160B-5BLI、K4S641632C-TC、MT48LC16M16A2B4-5A
