RFD16N06LE 是一款 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种电源管理和功率转换场景。RFD16N06LE 的最大工作电压为 60V,适合在中小功率系统中使用。
该器件的封装形式通常为 TO-252 (DPAK),便于安装和散热。其出色的动态性能和稳定性使其成为工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:16A
导通电阻:40mΩ(典型值)
栅极阈值电压:2.1V
功耗:96W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
RFD16N06LE 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用,如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 内置保护机制,防止过流和过热情况下的损坏。
5. 小型化封装设计,方便在紧凑型电路板上布置。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
RFD16N06LE 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流电机驱动
3. LED 照明驱动
4. 工业自动化中的功率控制模块
5. 电池管理系统(BMS)
6. 通信设备中的高效功率转换电路
7. 消费类电子产品中的负载切换功能
RFD15N06LE, IRFZ44N, FDP5500