您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RFD16N06LE

RFD16N06LE 发布时间 时间:2025/5/30 19:01:19 查看 阅读:10

RFD16N06LE 是一款 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种电源管理和功率转换场景。RFD16N06LE 的最大工作电压为 60V,适合在中小功率系统中使用。
  该器件的封装形式通常为 TO-252 (DPAK),便于安装和散热。其出色的动态性能和稳定性使其成为工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:40mΩ(典型值)
  栅极阈值电压:2.1V
  功耗:96W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

RFD16N06LE 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够减少功率损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用,如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 内置保护机制,防止过流和过热情况下的损坏。
  5. 小型化封装设计,方便在紧凑型电路板上布置。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

RFD16N06LE 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流电机驱动
  3. LED 照明驱动
  4. 工业自动化中的功率控制模块
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 通信设备中的高效功率转换电路
  7. 消费类电子产品中的负载切换功能

替代型号

RFD15N06LE, IRFZ44N, FDP5500

RFD16N06LE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RFD16N06LE资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载