时间：2025/7/11 17:03:03
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FN21N472J500ECG 是一款高性能的 N 沀道功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。
该型号属于 N 沥通道增强型 MOSFET，具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的击穿电压 (BVDSS)，能够显著降低功率损耗并提升系统效率。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压：470V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻（Rds(on)）：500mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
总功耗：20W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FN21N472J500ECG 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（470V），适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻（500mΩ），可减少导通时的能量损耗。
3. 快速开关能力，有助于提高工作效率。
4. 热稳定性强，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 封装坚固耐用，便于安装与散热管理。
这些特性使 FN21N472J500ECG 成为众多高电压、中小电流功率转换应用的理想选择。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流/直流转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 太阳能逆变器及电池管理系统。
5. 工业设备中用于负载切换和保护的电子开关。
由于其出色的耐压能力和效率表现，FN21N472J500ECG 在各类高压功率转换和控制领域均表现出色。
IRF840,
STP20NF47,
FDP15N45,
IXFK47N45P
