时间：2025/5/8 9:31:57
阅读：6
RFD14N05LSM9A 是一款 N 沟能耗型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高性能应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点。广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：14A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：36nC
开关时间：ton=13ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
RFD14N05LSM9A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关性能，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制与驱动电路。
3. 电池保护和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 通信设备中的高效功率转换电路。
6. 汽车电子中的各种负载控制场景。
RFD14N05LSM9, RFD14N05L
