产品类型：射频多层陶瓷电容器（RF MLCC）
　　电容值：1.55 pF
　　电容公差：±10%（K级）
　　额定电压：50 V DC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：C0G（NP0）或类似稳定介质
　　封装尺寸：1010（2.54mm x 2.54mm）
　　等效串联电阻（ESR）：极低（典型值 < 0.05 Ω）
　　等效串联电感（ESL）：极低（典型值 < 0.2 nH）
　　品质因数（Q值）：>1000（在1 GHz下）
　　自谐振频率（SRF）：>10 GHz（典型）
　　介质材料：C0G/NP0 类陶瓷
　　端接类型：贵金属电极（如Ag/Pd），可焊性良好
　　应用频率范围：DC 至 6 GHz 及以上

RFC1010B-155KE 射频电容器的核心优势在于其卓越的高频性能与极低的寄生效应，使其成为现代高频模拟与射频电路中不可或缺的关键元件。该器件采用先进的多层陶瓷制造工艺，结合 C0G（也称为 NP0）类温度补偿型介质材料，确保了在整个工作温度范围内电容值的高度稳定性，几乎不受温度变化的影响，电容漂移可控制在 ±30 ppm/°C 以内。这种稳定性对于需要长期运行且环境条件复杂的通信系统至关重要，例如在基站功率放大器输出匹配网络中，微小的电容偏移都可能导致阻抗失配，进而影响效率甚至损坏器件。
　　该电容器的几何结构经过专门优化，以最大限度地降低等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）。通过缩短内部电极路径、使用低电阻金属材料以及对称布局设计，其 ESL 被控制在亚纳亨级别（<0.2nH），从而显著提高了自谐振频率（SRF），使其在高达 10 GHz 以上的频率仍能保持容性行为，避免因进入感性区而导致电路性能恶化。这一点在毫米波前端模块、高速数据转换器旁路以及 VCO 调谐电路中尤为关键。
　　此外，RFC1010B-155KE 具备出色的 Q 值（品质因数），通常在 1 GHz 下超过 1000，表明其能量损耗极低，适合用于高选择性滤波器、低相位噪声振荡器和高效能功率传输路径。其高绝缘电阻和低漏电流特性也保证了在高压偏置下的可靠性。器件还具备良好的机械强度和热循环耐受能力，适用于回流焊接工艺，并能在剧烈温变环境中保持结构完整性。整体设计兼顾了高频性能、长期可靠性和制造兼容性，是高端射频应用的理想选择。

RFC1010B-155KE 射频电容器广泛应用于对信号完整性和频率稳定性要求极为严苛的高性能电子系统中。在无线通信基础设施领域，它常被用于蜂窝基站的功率放大器（PA）输出匹配网络、双工器和滤波器电路中，用于实现精确的阻抗变换和带通特性调节，确保发射信号的高效辐射与接收信号的选择性增强。在微波与毫米波通信系统中，该器件可用于上下变频器、混频器隔离、本振（LO）信号耦合以及传输线终端匹配，凭借其在高频段的低损耗特性，有效减少信号反射和串扰，提升系统信噪比。
　　在测试与测量仪器方面，如矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和信号发生器中，RFC1010B-155KE 被用作校准路径中的标准电容或高频旁路元件，因其参数高度可预测且不随温度波动，有助于维持仪器测量精度。在雷达与电子战（EW）系统中，该电容用于脉冲调制电路、天线阵列馈电网络和相控阵波束成形模块，支持快速响应和高分辨率探测能力。
　　此外，在航空航天与国防电子设备中，其高可靠性与宽温工作能力使其适用于卫星通信载荷、机载通信链路和导弹导引头射频前端。在高端消费类电子产品中，尽管成本较高，但在某些 5G 毫米波手机原型或高性能 Wi-Fi 6E/7 模块中也可能采用此类精密 RF 电容，以满足极高频段的设计需求。总之，凡涉及 GHz 级信号处理、低相位噪声要求或高功率射频传输的场合，RFC1010B-155KE 均能发挥重要作用。

ATC100B155KXFT
　　AVX1010C155KATEA
　　Murata GJM1555C1HSRF155KE