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MT55X106K101EGE 发布时间 时间:2025/5/24 12:05:18 查看 阅读:9

MT55X106K101EGE是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),由华邦电子(Winbond)制造。该芯片采用CMOS工艺技术,具有低功耗和高可靠性的特点,适用于需要快速数据访问和稳定性能的应用场景。它支持多种工作电压范围,能够在广泛的工业和商业环境中运行。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:512K x 128
  核心电压:1.71V~1.98V
  接口电压:1.62V~1.98V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TQFP
  数据访问时间:10ns
  引脚数:100
  最大功耗:3W

特性

MT55X106K101EGE的主要特性包括:
  1. 高速数据访问能力,支持10ns的存取时间。
  2. 低功耗设计,适合对能效要求较高的应用场景。
  3. 支持宽电压范围,增强了其在不同环境下的兼容性。
  4. 工业级温度范围,保证了在极端条件下的稳定性。
  5. 具备自刷新功能,减少外部控制电路的复杂性。
  6. 提供全面的错误检测机制,如奇偶校验选项,以确保数据完整性。
  7. 封装形式紧凑,易于集成到空间受限的设计中。

应用

这款SRAM广泛应用于以下领域:
  1. 网络通信设备,例如路由器、交换机和网关中的缓存。
  2. 工业自动化系统,用于实时数据处理和控制任务。
  3. 嵌入式系统中的临时数据存储,如打印机缓冲区和图像处理。
  4. 医疗设备中的关键数据暂存,例如超声波成像设备。
  5. 游戏机和其他消费类电子产品中的快速数据交换。
  6. 汽车电子系统,特别是在需要快速响应的场景中。

替代型号

MT55L106K101AGE, MT55F106K101AGL

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