型号：RFBPF16081G9DMAT79
　　制造商：Qorvo (formerly JRC)
　　封装尺寸：1.6 mm × 0.8 mm × 0.6 mm (1608)
　　中心频率：约1900 MHz
　　通带频率范围：1880 MHz 至 1920 MHz
　　插入损耗（典型值）：≤ 1.8 dB
　　LNA增益（典型值）：≥ 14 dB
　　噪声系数（NF）：≤ 1.2 dB
　　输入三阶交调截点（IIP3）：≥ -10 dBm
　　工作电压范围：2.7 V 至 3.3 V
　　静态电流（LNA模式）：≤ 6.5 mA
　　关断电流：≤ 1 μA
　　ESD耐压：±8 kV（接触放电）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装型（SMD）
　　引脚数：6
　　匹配状态：内部输入/输出匹配至50 Ω

RFBPF16081G9DMAT79的核心特性在于其高度集成的接收前端架构，将SAW滤波器与低噪声放大器（LNA）集成于单一微型封装内，显著简化了射频设计流程并节省PCB布局空间。其SAW滤波器部分针对PCS（Personal Communications Service）频段进行了精确调谐，中心频率约为1.9 GHz，具备陡峭的滤波滚降特性和优异的带外抑制能力，能够有效滤除来自相邻频段（如DCS、UMTS Band I/II 或 LTE Band 25/26）的强干扰信号，从而防止接收机前端饱和或互调失真。与此同时，集成的LNA采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，实现了极低的噪声系数（典型值低于1.2 dB），这对于提升整个接收链路的信噪比（SNR）和接收灵敏度至关重要，尤其在弱信号覆盖区域表现突出。该LNA还具备可编程增益控制功能，支持正常工作模式与低功耗待机模式之间的切换，用户可通过使能引脚（EN）实现快速开启或关闭，以适应不同通信状态下的功耗管理需求。
　　器件具备良好的线性性能，输入三阶交调截点（IIP3）优于-10 dBm，意味着其在存在多个强干扰信号的情况下仍能保持较高的动态范围，避免非线性失真影响主信号解调质量。此外，RFBPF16081G9DMAT79内部已对输入和输出端口进行50欧姆阻抗匹配，减少了外部匹配元件的数量，降低了设计复杂度和物料成本，并提高了生产一致性。其封装采用陶瓷基板和金属屏蔽结构，提供了优良的电磁屏蔽效果，防止外部噪声耦合以及模块自身辐射干扰其他敏感电路。在可靠性方面，该器件通过严格的环境测试认证，可在-40°C至+85°C宽温范围内稳定运行，适用于各种严苛的应用场景。综合来看，RFBPF16081G9DMAT79以其高集成度、低噪声、高选择性和小尺寸优势，成为高端移动通信设备中不可或缺的关键射频组件。

RFBPF16081G9DMAT79主要应用于需要高性能接收链路的无线通信设备中，尤其是在支持PCS频段（1850–1990 MHz）的蜂窝网络终端设备中广泛使用。典型应用包括智能手机和平板电脑中的主分集接收（Main and Diversity Reception）路径，用于提升语音通话质量和数据传输稳定性。在5G NR非独立组网（NSA）架构下，该模块可用于增强LTE锚点载波的接收性能，保障双连接（EN-DC）的可靠建立与维持。此外，它也适用于工业级蜂窝物联网（IoT）设备，如远程监控终端、车载通信单元（Telematics）、智能电表和POS支付终端，这些设备通常部署在电磁环境复杂的现场，要求射频前端具备较强的抗干扰能力和长期运行稳定性。在M2M通信模块（如Mini PCIe、M.2或LGA封装的通信模组）中，RFBPF16081G9DMAT79因其超小型尺寸和高集成度而被优先选用，有助于缩小模块整体体积并提高集成密度。另外，该器件也可用于支持VoLTE（Voice over LTE）和高清语音服务的移动设备中，凭借其低噪声放大和精准滤波能力，有效提升上行链路的语音编码准确率和抗背景噪声能力。由于其具备良好的ESD防护和热稳定性，RFBPF16081G9DMAT79同样适合应用于高湿度、高温差或振动频繁的户外通信节点设备中。总之，凡是需要在1.9 GHz频段实现高质量信号接收的应用场景，该芯片都是理想的前端解决方案之一。

RFBPF16081G9DKAT79