时间：2025/7/16 10:12:31
阅读：6
C2M0080120D 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片，由 Wolfspeed（前身为 Cree）生产。该器件专为高频和高效率应用而设计，适用于工业、可再生能源以及电动汽车领域。其出色的开关性能和低导通电阻使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品。
碳化硅材料赋予了 C2M0080120D 更高的耐压能力、更低的损耗以及更高的工作温度范围，这使得它在功率转换系统中表现卓越。
额定电压：1200V
连续漏极电流：8A
导通电阻：9.5mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：940pF
输出电容：350pF
反向恢复时间：60ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
C2M0080120D 采用先进的 SiC 技术制造，具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：支持高达 1200V 的电压操作，适合高压环境下的功率转换。
2. 极低的导通电阻：仅为 9.5mΩ，能够有效减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度：得益于低栅极电荷和快速反向恢复时间，开关频率可以达到数百 kHz，从而缩小无源元件尺寸。
4. 宽温度范围：可在 -55℃ 至 +175℃ 的范围内稳定工作，适应极端环境条件。
5. 高效散热性能：SiC 材料的高热导率确保芯片能够更好地管理热量积累。
6. 减少电磁干扰：优化的设计降低了开关过程中的噪声生成。
C2M0080120D 广泛应用于以下领域：
1. 太阳能逆变器：提供高效的直流到交流转换功能。
2. 电动汽车充电系统：用于车载充电器和快速充电桩。
3. 工业电机驱动：实现精确控制和高效能量传输。
4. 不间断电源（UPS）：保障关键负载的可靠运行。
5. DC-DC 转换器：在通信基站和数据中心等场景中提升效率和功率密度。
C2M0120120D
C2M0080170D
