电容值：100000pF (0.1μF)
　　 容差：±10%
　　 额定电压：50V
　　 温度系数：X7R
　　 封装尺寸：1812 (4532 公制)
　　 工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　 介质材料：陶瓷
　　 极数：2
　　 绝缘电阻：10000 MΩ
　　 额定电流：无极性

21B104K50AT 陶瓷电容器具备良好的高频响应特性，能够在高频电路中保持稳定的电容值，从而提高电路的性能。该电容器采用陶瓷介质材料，具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少电路中的噪声和干扰。
　　此外，该型号的电容器具有较高的温度稳定性，其温度系数为X7R，意味着在工作温度范围内，其电容值的变化不会超过±15%。这使得它非常适合在需要温度稳定性的应用中使用。
　　21B104K50AT 还具有优异的机械强度和耐环境性能，能够在恶劣的工作环境中保持长时间的稳定运行。它采用表面贴装封装形式，便于自动化生产和安装，提高了生产效率和可靠性。
　　另外，该电容器的封装尺寸为1812（4532 公制），适合在空间有限的PCB设计中使用。同时，它还具有良好的焊接性能，确保在高温回流焊过程中不会出现裂纹或失效问题。

21B104K50AT 陶瓷电容器广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要高频滤波、去耦和旁路功能的场合。例如，在电源管理电路中，该电容器可用于滤除高频噪声，提高电源的稳定性；在射频（RF）电路中，它可以作为旁路电容，提供低阻抗路径以抑制干扰信号。
　　此外，该电容器也常用于模拟和数字电路中的去耦应用，确保电路各部分之间的信号完整性。在通信设备、工业控制系统、医疗仪器以及汽车电子系统中，21B104K50AT 都可以发挥重要作用。
　　由于其优异的温度稳定性和可靠性，该型号也适用于一些对工作环境要求较高的应用，如航空航天、军事装备和工业自动化等领域。

Vishay RC0805JR-0710KL, Kemet C0805C104K5RACTU, Murata GRM188R71H104KA01D