频率范围：DC至4.0 GHz
　　输出功率：高达125W（典型值）
　　工作电压：28V
　　增益：约20dB（典型值）
　　效率：超过65%（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：SOT-227（Halex）

RF8095E4.1SR 是一款基于LDMOS技术的射频功率晶体管，具有出色的电气性能和热稳定性。其主要特点包括高输出功率、高增益和高效的能量转换率，适用于多种射频应用。该器件在高频范围内表现优异，能够在4.0 GHz以下的频率范围内稳定工作，适合用于多载波通信系统、广播放大器以及工业测试设备中的功率放大模块。
　　该晶体管采用了SOT-227封装形式，这种封装结构具有良好的散热性能，能够有效降低工作时的温度上升，提高器件的长期稳定性。此外，RF8095E4.1SR 的输入驻波比控制在2.5:1以内，确保了良好的阻抗匹配能力，从而减少信号反射和损耗，提高系统的整体效率。
　　在可靠性方面，RF8095E4.1SR 设计用于高功率密度应用，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。其宽广的工作温度范围（-65°C至+150°C）使其适用于户外设备和高温环境下的通信基站。此外，该器件具有良好的抗失真能力，适合用于要求高线性度的通信系统中，如CDMA、WCDMA、LTE等现代无线通信标准。
　　RF8095E4.1SR 的另一个显著特点是其易于集成。由于其标准化的封装和引脚配置，工程师可以在设计射频功率放大器时轻松将其集成到电路中，从而缩短开发周期并降低设计复杂度。

RF8095E4.1SR 主要用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、中继器和小型蜂窝网络设备。此外，它也被广泛应用于广播系统、测试和测量仪器、工业加热设备以及军事和航空航天领域的射频功率放大器设计中。

RF8095E4.1SR 的替代型号包括 RF8095E4.1S、RF8095E4.1SRG、RF8095E4.1SRA 和 Freescale（现为NXP）的类似LDMOS功率晶体管如MRF6VP2150N。