RF8007IE2.2SB 时间：2025/8/15 14:58:01 阅读：5

RF8007IE2.2SB 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）制造的射频（RF）晶体管，主要用于射频功率放大应用。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，适用于多种射频和无线通信系统。RF8007IE2.2SB 的工作频率范围通常在800 MHz左右，具有高功率增益和良好的线性性能，是无线基础设施和基站应用中的常用组件。

参数

类型: 射频功率晶体管（RF MOSFET）
　　技术: LDMOS
　　封装类型: TO-247
　　频率范围: 700 MHz - 1 GHz
　　输出功率: 典型值为125W（脉冲）
　　漏极电压 (Vd): 最大28V
　　栅极电压 (Vg): 最大 ±20V
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C
　　封装尺寸: TO-247，具体尺寸为约 15.9mm x 10.4mm x 4.6mm

特性

RF8007IE2.2SB 是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管。该晶体管在700 MHz至1 GHz的频率范围内表现出色，能够提供高达125W的脉冲输出功率。其高功率增益和良好的热稳定性使其在基站和无线基础设施中广泛使用。该器件还具有高效率和优良的线性性能，这对于现代通信系统中减少失真和提高信号质量非常重要。RF8007IE2.2SB 采用TO-247封装，这种封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高功率操作时保持晶体管的可靠性。此外，该晶体管的设计使其能够在高电压条件下工作，最大漏极电压可达28V，同时具备较高的抗静电能力和稳定性。在温度适应性方面，该器件可在-65°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于各种严苛环境。

应用

RF8007IE2.2SB 主要用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播系统以及工业射频设备。它特别适用于需要高功率输出和良好线性度的应用，例如在CDMA、WCDMA和LTE等通信标准下的基站功率放大器。该晶体管也常用于广播发射器中的功率放大阶段，提供高效的信号放大。此外，它还可以用于雷达系统、测试设备和其他射频能量应用。