B1251H-7P 时间：2025/11/5 22:03:42 阅读：18

B1251H-7P是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SMA（DO-214AC）表面贴装封装。该器件专为高频开关应用而设计，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于各种电源整流、续流和防反接保护电路中。B1251H-7P的命名遵循常见的行业标准，其中“B”表示为硅肖特基二极管，“1251”代表其电流与电压等级，“H”可能表示特定的电压挡位或产品变种，而“-7P”通常指代卷带包装形式，适合自动化贴片生产。该二极管的最大重复峰值反向电压（VRRM）为100V，平均整流电流（IO）可达1.0A，在实际应用中表现出良好的热稳定性和可靠性。其SMA封装结构紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，并支持回流焊工艺。B1251H-7P广泛应用于消费类电子、工业控制、通信设备以及电源适配器等场景中，尤其适合对效率和空间有较高要求的设计。由于其低功耗特性，也常被用于节能型电源系统中作为输出整流元件。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅（Pb），满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大RMS电压（VRMS）：70V
　　最大直流阻断电压（VDC）：100V
　　最大瞬时正向压降（VF @ IF=1A）：850mV
　　最大平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流（IR @ VR=100V, TJ=25°C）：250μA
　　典型结电容（Cj）：60pF
　　封装类型：SMA (DO-214AC)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

B1251H-7P所采用的肖特基势垒技术使其具备显著低于传统PN结二极管的正向导通压降，典型值在0.85V左右，当通过1A电流时，功率损耗仅为约0.85W，有效提升了电源转换效率并减少了散热需求。这一特性对于电池供电设备或高能效电源尤为重要，能够延长续航时间并降低系统温升。
　　其快速开关能力得益于无少数载流子存储效应的物理机制，反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，因此在高频整流应用中不会产生明显的开关损耗，也不会引发严重的电磁干扰（EMI）问题。这使得B1251H-7P非常适合用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器以及PWM驱动电路中的续流或钳位功能。
　　该器件的SMA封装具有较小的占板面积（约4.3mm x 2.8mm），高度适中，适用于紧凑型电路设计，并支持自动化贴片组装流程，提高了生产效率和一致性。同时，封装材料具备良好的热传导性能，有助于将工作时产生的热量及时传递至PCB焊盘进行散热。
　　在可靠性方面，B1251H-7P经过严格的质量控制和老化测试，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作，适应恶劣环境下的长期运行。其反向漏电流在高温下虽有所增加，但仍处于可接受范围内，确保了在高温工况下的基本性能。
　　此外，该二极管符合国际环保标准，无卤素且不含铅，符合现代绿色制造趋势。整体而言，B1251H-7P是一款性能均衡、成本效益高的通用型肖特基二极管，适用于多种中低压、中小电流的应用场合。

应用

B1251H-7P广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的输出整流环节，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中作为次级侧整流元件，利用其低VF特性提高整体转换效率。它也被用于DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管，以防止电感电流突变造成电压尖峰，保护主开关器件如MOSFET。
　　在电池充电管理电路中，B1251H-7P可用于防止电池反向放电或实现多电源路径选择，起到防反接和隔离作用。例如，在USB供电设备或多输入电源切换系统中，它可以自动选择电压较高的输入源并阻止电流倒灌。
　　该器件还适用于消费类电子产品，如智能手机充电器、LED照明驱动电源、机顶盒、路由器等内部的小功率电源模块。在工业控制领域，可用于PLC模块、传感器供电单元及继电器驱动电路中的飞轮二极管，抑制感性负载断开时产生的反电动势。
　　此外，B1251H-7P也可用于信号整流、电压采样保持电路以及简单的逻辑电平移位应用。由于其表面贴装特性，特别适合大规模自动化生产，广泛服务于批量制造市场。凭借其高可靠性和成熟供应链，已成为许多设计师在1A/100V级别应用中的首选型号之一。